casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI1025X-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1025X-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1025X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1025X-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 190mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
Potência - Max | 250mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-89-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1025X-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1025X-T1-E3-FT |
SIA914DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA914DJ-T1-GE3
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