casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SIA928DJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA928DJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA928DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA928DJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 15V |
Potência - Max | 7.8W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA928DJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA928DJ-T1-GE3-FT |
SP8M7FU6TB
Rohm Semiconductor
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