casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI1023X-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1023X-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1023X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1023X-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 370mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 250mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-89-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1023X-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1023X-T1-E3-FT |
SIA913DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA914ADJ-T1-GE3
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SIA914DJ-T1-E3
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SIA915DJ-T1-GE3
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SIA917DJ-T1-GE3
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SIA918EDJ-T1-GE3
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SIA920DJ-T1-GE3
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SIA921EDJ-T4-GE3
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SIA923AEDJ-T1-GE3
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XC2V1000-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3
Intel
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation