casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SIA913DJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA913DJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA913DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA913DJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 6V |
Potência - Max | 6.5W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA913DJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA913DJ-T1-GE3-FT |
SP8M10TB
Rohm Semiconductor
SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3FU6TB
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AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-1FBVA676C
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XC6SLX45-3FGG484I
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A54SX16A-1FG144
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A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
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XC6VLX365T-1FFG1759I
Xilinx Inc.