casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI1016X-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1016X-T1-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI1016X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1016X-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 485mA, 370mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 250mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-89-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1016X-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1016X-T1-E3-FT |
SIA912DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA913DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA914ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA914DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA914DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA915DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA917DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA920DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay Siliconix
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100T
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C5U256I7
Intel
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation