casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SH8J31GZETB
Número da peça de fabricante | SH8J31GZETB |
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Número da peça futura | FT-SH8J31GZETB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SH8J31GZETB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | - |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8J31GZETB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SH8J31GZETB-FT |
IRF7755GTRPBF
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