casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / IRF7756
Número da peça de fabricante | IRF7756 |
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Número da peça futura | FT-IRF7756 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF7756 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
Potência - Max | 1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7756 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF7756-FT |
SI6544BDQ-T1-GE3
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SI6562CDQ-T1-GE3
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XCV400-4FG676I
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10M40DCF484C8G
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EP3C25U256A7N
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LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
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EP3SL150F780C4N
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