casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / SDE6603-151M
Número da peça de fabricante | SDE6603-151M |
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Número da peça futura | FT-SDE6603-151M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SDE6603 |
SDE6603-151M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 150µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 250mA |
Atual - saturação | 270mA |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 6MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.115" (2.92mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-151M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SDE6603-151M-FT |
SDR1005-6R8M
Bourns Inc.
SDR0906-680KL
Bourns Inc.
SDR0906-220ML
Bourns Inc.
SDR0906-470KL
Bourns Inc.
SDR0906-120ML
Bourns Inc.
SDR0906-331KL
Bourns Inc.
SDR0906-471KL
Bourns Inc.
SDR0906-100ML
Bourns Inc.
SDR0906-103KL
Bourns Inc.
SDR0906-101KL
Bourns Inc.
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel