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Número da peça de fabricante | SDR1005-6R8M |
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Número da peça futura | FT-SDR1005-6R8M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SDR1005 |
SDR1005-6R8M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.4A |
Atual - saturação | 4.5A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | 56 @ 2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 31MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.500" L x 0.394" W (12.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.197" (5.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1005-6R8M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SDR1005-6R8M-FT |
SDR1105-470KL
Bourns Inc.
SDR1105-390KL
Bourns Inc.
SDR1105-680KL
Bourns Inc.
SDR1105-101KL
Bourns Inc.
SDR1105-270ML
Bourns Inc.
SDR1105-100ML
Bourns Inc.
SDR1105-120ML
Bourns Inc.
SDR1105-180ML
Bourns Inc.
SDR1105-560KL
Bourns Inc.
SDR1105-820KL
Bourns Inc.
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation