casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / RW2R0DAR100JT
Número da peça de fabricante | RW2R0DAR100JT |
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Número da peça futura | FT-RW2R0DAR100JT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RW |
RW2R0DAR100JT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Wirewound |
Características | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | 4524 J-Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMD J-Lead, Recessed |
Tamanho / dimensão | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.231" (5.87mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR100JT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RW2R0DAR100JT-FT |
RW2S0CBR200JE
Ohmite
RW2S0CBR020JE
Ohmite
RW2S0CBR500JE
Ohmite
RW2S0CB1R00J
Ohmite
RW2S0CB1R00JE
Ohmite
RW2S0CB1R00JET
Ohmite
RW2S0CBR005JE
Ohmite
RW2S0CBR005JET
Ohmite
RW2S0CBR010JT
Ohmite
RW2S0CBR020J
Ohmite
XCV800-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I6G
Intel
10AX032H4F35I3SG
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115R2F40I1SG
Intel
EP1C20F324C8N
Intel