casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RYC002N05T316
Número da peça de fabricante | RYC002N05T316 |
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Número da peça futura | FT-RYC002N05T316 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RYC002N05T316 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 50V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 350mW (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SST3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RYC002N05T316 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RYC002N05T316-FT |
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