Número da peça de fabricante | RU 4DS |
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Número da peça futura | FT-RU 4DS |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RU 4DS Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1300V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 400ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1300V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 4DS Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RU 4DS-FT |
RM 2C
Sanken
RM 2CV
Sanken
RM 2V
Sanken
RM 2Z
Sanken
RM 2ZV
Sanken
RM 2ZV1
Sanken
RM1200E-TP
Micro Commercial Co
RM1500E-TP
Micro Commercial Co
RM1800E-TP
Micro Commercial Co
RM25HG-24S
Powerex Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel