Número da peça de fabricante | RM 2ZV |
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Número da peça futura | FT-RM 2ZV |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RM 2ZV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 2ZV Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RM 2ZV-FT |
RL102-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL102-TP
Micro Commercial Co
RL103-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel