casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RU1C002ZPTCL
Número da peça de fabricante | RU1C002ZPTCL |
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Número da peça futura | FT-RU1C002ZPTCL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RU1C002ZPTCL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150mW (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UMT3F |
Pacote / caso | SC-85 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU1C002ZPTCL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RU1C002ZPTCL-FT |
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EP4CE10E22C7N
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XC5VLX30-1FF676I
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AGL600V2-FG144
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LCMXO2-7000HC-6BG256C
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LFXP2-8E-5MN132C
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5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
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