casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ6E085BNTCR
Número da peça de fabricante | RQ6E085BNTCR |
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Número da peça futura | FT-RQ6E085BNTCR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RQ6E085BNTCR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 32.7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-457 |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ6E085BNTCR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RQ6E085BNTCR-FT |
RTM002P02T2L
Rohm Semiconductor
RUM002N05T2L
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RSM002N06T2L
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