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Rohm Semiconductor RS1E200GNTB

Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTB
Price: 0.21692 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (745 reviews)

Número da peça MFG: RS1E200GNTB

Quantidade disponível: 98200 Peças

Preço de referência: USD 0.21692

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fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RS1E200GNTB.pdf

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RS1E200GNTB Especificações

Número da peça de fabricante	RS1E200GNTB
Número da peça futura	FT-RS1E200GNTB
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RS1E200GNTB Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	16.8nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3W (Ta), 25.1W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-HSOP
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1E200GNTB Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RS1E200GNTB-FT

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