casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RTU002P02T106
Número da peça de fabricante | RTU002P02T106 |
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Número da peça futura | FT-RTU002P02T106 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RTU002P02T106 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 200mW (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UMT3 |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RTU002P02T106 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RTU002P02T106-FT |
RSJ450N04TL
Rohm Semiconductor
RSJ800N06TL
Rohm Semiconductor
R6004ENJTL
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XC3S2000-4FG456C
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LFXP2-40E-6F484I
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