casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / RN55E5113FB14
Número da peça de fabricante | RN55E5113FB14 |
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Número da peça futura | FT-RN55E5113FB14 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E5113FB14 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 511 kOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 0.125W, 1/8W |
Composição | Metal Film |
Características | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E5113FB14 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN55E5113FB14-FT |
RN55E4870DBSL
Vishay Dale
RN55E4870DR36
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A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA7N3F40C3N
Intel
EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
Intel