casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / RN55E4870DR36
Número da peça de fabricante | RN55E4870DR36 |
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Número da peça futura | FT-RN55E4870DR36 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E4870DR36 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 487 Ohms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 0.125W, 1/8W |
Composição | Metal Film |
Características | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E4870DR36 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN55E4870DR36-FT |
RN55E4530DB14
Vishay Dale
RN55E4530DBSL
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A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
Intel
5CEBA4U15C8N
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