casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN2117(T5L,F,T)

| Número da peça de fabricante | RN2117(T5L,F,T) |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-RN2117(T5L,F,T) |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| RN2117(T5L,F,T) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | 200MHz |
| Potência - Max | 100mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SC-75, SOT-416 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSM |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN2117(T5L,F,T) Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | RN2117(T5L,F,T)-FT |

BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies

RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation

LFE2-6SE-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.

XC4013E-2PQ208C
Xilinx Inc.

AX250-FG484M
Microsemi Corporation

5SGXEA5N1F40C2LN
Intel

5SGXEA5K1F35C2LN
Intel

A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation

A3P400-FGG144
Microsemi Corporation

LFE3-95EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation