casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR196WE6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BCR196WE6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BCR196WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR196WE6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 70mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT323-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR196WE6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR196WE6327HTSA1-FT |
UNR32A100L
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UNR32A1G0L
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UNR32A300L
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XC3S50AN-4TQG144C
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EX128-FTQG100
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XC6SLX25-3FTG256C
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M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
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EP3SL340F1760I4L
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5SGSMD5H2F35I3N
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XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
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EPF8820AQC208-3
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