casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN1102T5LFT
Número da peça de fabricante | RN1102T5LFT |
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Número da peça futura | FT-RN1102T5LFT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1102T5LFT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1102T5LFT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1102T5LFT-FT |
BCR158WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR158WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR166WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR166WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR169WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR169WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR183WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR183WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel