casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJL6012DPE-00#J3
Número da peça de fabricante | RJL6012DPE-00#J3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-RJL6012DPE-00#J3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RJL6012DPE-00#J3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-LDPAK |
Pacote / caso | SC-83 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJL6012DPE-00#J3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RJL6012DPE-00#J3-FT |
RJK1001DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1002DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1003DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5012DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5013DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5014DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5026DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5034DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK5035DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK6006DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel