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Renesas Electronics America RJK6006DPP-E0#T2

Name: RJK6006DPP-E0#T2
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK6006DPP-E0#T2
Availability: InStock
Rating: 4.7 (598 reviews)

Número da peça MFG: RJK6006DPP-E0#T2

Quantidade disponível: 12350 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Renesas Electronics America

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V 5A TO220

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RJK6006DPP-E0#T2.pdf

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RJK6006DPP-E0#T2 Especificações

Número da peça de fabricante	RJK6006DPP-E0#T2
Número da peça futura	FT-RJK6006DPP-E0#T2
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RJK6006DPP-E0#T2 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	29W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220FP
Pacote / caso	TO-220-3 Full Pack
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK6006DPP-E0#T2 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RJK6006DPP-E0#T2-FT

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