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Renesas Electronics America RJK1003DPN-E0#T2

Name: RJK1003DPN-E0#T2
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK1003DPN-E0#T2
Price: 1.12672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (633 reviews)

Número da peça MFG: RJK1003DPN-E0#T2

Quantidade disponível: 92820 Peças

Preço de referência: USD 1.12672

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Renesas Electronics America

Descrição breve: - MOSFET N-CH 100V 50A TO220

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RJK1003DPN-E0#T2.pdf

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RJK1003DPN-E0#T2 Especificações

Número da peça de fabricante	RJK1003DPN-E0#T2
Número da peça futura	FT-RJK1003DPN-E0#T2
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RJK1003DPN-E0#T2 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	50A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4150pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK1003DPN-E0#T2 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RJK1003DPN-E0#T2-FT

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