casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RF4E080BNTR
Número da peça de fabricante | RF4E080BNTR |
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Número da peça futura | FT-RF4E080BNTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RF4E080BNTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.6 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | HUML2020L8 |
Pacote / caso | 8-PowerUDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF4E080BNTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RF4E080BNTR-FT |
R8002ANJFRGTL
Rohm Semiconductor
R8005ANJFRGTL
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R8008ANJFRGTL
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