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Rohm Semiconductor R8002ANJFRGTL

Name: R8002ANJFRGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R8002ANJFRGTL
Price: 0.877424 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (781 reviews)

Número da peça MFG: R8002ANJFRGTL

Quantidade disponível: 99530 Peças

Preço de referência: USD 0.877424

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: R8002ANJFRGTL.pdf

R8002ANJFRGTL Especificações

Número da peça de fabricante	R8002ANJFRGTL
Número da peça futura	FT-R8002ANJFRGTL
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
R8002ANJFRGTL Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	62W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	LPTS
Pacote / caso	SC-83
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R8002ANJFRGTL Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	R8002ANJFRGTL-FT

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