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Rohm Semiconductor R8010ANX

Número da peça MFG
R8010ANX
Quantidade disponível
52990 Peças
Preço de referência
USD 2.552
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Data de envio
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fabricante
Rohm Semiconductor
Descrição breve
- MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
R8010ANX.pdf
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R8010ANX Especificações

Número da peça de fabricante R8010ANX
Número da peça futura FT-R8010ANX
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
R8010ANX Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 40W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220FM
Pacote / caso TO-220-3 Full Pack
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R8010ANX Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição R8010ANX-FT

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