casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFIZ14GPBF
Número da peça de fabricante | IRFIZ14GPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFIZ14GPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFIZ14GPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 27W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFIZ14GPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFIZ14GPBF-FT |
SSR1N60BTM-WS
ON Semiconductor
SSR1N60BTM_F080
ON Semiconductor
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
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TJ20S04M3L(T6L1,NQ
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ
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TJ40S04M3L(T6L1,NQ
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ
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M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
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APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
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LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-4000HC-6MG132C
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EP3SE110F780C4L
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10CL080YF780C6G
Intel