casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R6021435ESYA
Número da peça de fabricante | R6021435ESYA |
---|---|
Número da peça futura | FT-R6021435ESYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6021435ESYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 350A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 1400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -45°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6021435ESYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6021435ESYA-FT |
JANTX1N5187
Microsemi Corporation
JANTX1N5188
Microsemi Corporation
JANTX1N5416US
Microsemi Corporation
JANTX1N5417
Microsemi Corporation
JANTX1N5417US
Microsemi Corporation
JANTX1N5418US
Microsemi Corporation
JANTX1N5420US
Microsemi Corporation
JANTX1N5553US
Microsemi Corporation
JANTX1N5554
Microsemi Corporation
JANTX1N5616
Microsemi Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel