casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JANTX1N5417US
Número da peça de fabricante | JANTX1N5417US |
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Número da peça futura | FT-JANTX1N5417US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JANTX1N5417US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, B |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5B |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5417US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JANTX1N5417US-FT |
F1T1GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T2G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T2G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T2G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T2GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T2GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T2GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T3G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T3G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
F1T3G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel