casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PQMH9Z
Número da peça de fabricante | PQMH9Z |
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Número da peça futura | FT-PQMH9Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH9Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 230MHz |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH9Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PQMH9Z-FT |
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
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UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
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NSVUMC3NT1G
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NSVB1706DMW5T1G
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NSB1706DMW5T1
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UMA4NT1
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LCMXO2-2000HE-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE3000L-FG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FG256
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
5SGXEABN3F45C2L
Intel
5SGXEA7K2F35I3LN
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EP3SE110F1152I4LN
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LFE2M50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4
Intel
EP1K100QC208-3N
Intel