casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PQMH13Z
Número da peça de fabricante | PQMH13Z |
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Número da peça futura | FT-PQMH13Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH13Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 230MHz |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH13Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PQMH13Z-FT |
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21356DW6T1G
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NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1
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NSB1706DMW5T1G
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NSVUMC2NT1G
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UMC3NT1G
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NSVUMC5NT2G
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NSVUMC3NT1G
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NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
EX256-TQ100
Microsemi Corporation
XC2VP20-5FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR50
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AGL030V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4SGX290KF40C4N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
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ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-3
Intel