casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PQMD2Z
Número da peça de fabricante | PQMD2Z |
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Número da peça futura | FT-PQMD2Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PQMD2Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 230MHz, 180MHz |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMD2Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PQMD2Z-FT |
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor
MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
NSB13211DW6T1G
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NSM11156DW6T1G
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LCMXO1200C-3T144I
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AX125-FG256
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5CGXFC9D6F27C7N
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5SGXEA7N2F40C1
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5SGXEA7H1F35I2N
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XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
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EP2A40F1020C8
Intel