casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PQMD2Z

| Número da peça de fabricante | PQMD2Z |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-PQMD2Z |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| PQMD2Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
| Freqüência - Transição | 230MHz, 180MHz |
| Potência - Max | 230mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PQMD2Z Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | PQMD2Z-FT |

MUN5333DW1T1
ON Semiconductor

MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G
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NSM11156DW6T1G
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NSB1706DMW5T1G
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NSVUMC2NT1G
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XCV50-4FG256C
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A14V15A-VQG100C
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AGLN030V5-ZVQ100
Microsemi Corporation

5SGXEA7N3F40I4
Intel

EP4SGX180KF40I4
Intel

EP2AGX125DF25I3N
Intel

XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.

LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX057H4F34E3LG
Intel