casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PQMD16Z
Número da peça de fabricante | PQMD16Z |
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Número da peça futura | FT-PQMD16Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PQMD16Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 230MHz, 180MHz |
Potência - Max | 350mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMD16Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PQMD16Z-FT |
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1
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MUN5334DW1T1G
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NSB13211DW6T1G
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XC6SLX150T-3FGG900C
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XCS30-3PQ208I
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XC3S700A-4FGG484I
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AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
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EP1C3T100C8
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5SGSMD5K3F40C2N
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EP2AGX95DF25C6N
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XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C7N
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