casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PQMB11Z
Número da peça de fabricante | PQMB11Z |
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Número da peça futura | FT-PQMB11Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PQMB11Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 180MHz |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMB11Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PQMB11Z-FT |
MUN5315DW1T1
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor
MUN5334DW1T1G
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NSB13211DW6T1G
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NSM11156DW6T1G
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NSM21156DW6T1G
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A3P125-1TQ144
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-2N
Intel
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SEE9H40I2LN
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
XC6VLX195T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
5AGXBB7D4F35C5N
Intel