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Renesas Electronics America NP80N055NDG-S18-AY

Name: NP80N055NDG-S18-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP80N055NDG-S18-AY
Availability: InStock
Rating: 4.7 (277 reviews)

Número da peça MFG: NP80N055NDG-S18-AY

Quantidade disponível: 97730 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: Renesas Electronics America

Descrição breve: - MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NP80N055NDG-S18-AY.pdf

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NP80N055NDG-S18-AY Especificações

Número da peça de fabricante	NP80N055NDG-S18-AY
Número da peça futura	FT-NP80N055NDG-S18-AY
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NP80N055NDG-S18-AY Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-262
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP80N055NDG-S18-AY Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NP80N055NDG-S18-AY-FT

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