casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMN23UN,135
Número da peça de fabricante | PMN23UN,135 |
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Número da peça futura | FT-PMN23UN,135 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
PMN23UN,135 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.75W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN23UN,135 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMN23UN,135-FT |
SI2308CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2309DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2311DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2311DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2321DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2321DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2323CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2323DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2323DS-T1
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel