casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / PMEG45A10EPDAZ
Número da peça de fabricante | PMEG45A10EPDAZ |
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Número da peça futura | FT-PMEG45A10EPDAZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PMEG45A10EPDAZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 540mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 21ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 45V |
Capacitância @ Vr, F | 715pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CFP15 |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG45A10EPDAZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMEG45A10EPDAZ-FT |
BAT720,235
Nexperia USA Inc.
PMBD914,235
Nexperia USA Inc.
BAL99,215
Nexperia USA Inc.
BAS40,215
Nexperia USA Inc.
BAT754,215
Nexperia USA Inc.
BAL74,215
Nexperia USA Inc.
BAS101,215
Nexperia USA Inc.
BAS116,235
Nexperia USA Inc.
BAS16,235
Nexperia USA Inc.
BAS17,215
Nexperia USA Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel