casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAS101,215
Número da peça de fabricante | BAS101,215 |
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Número da peça futura | FT-BAS101,215 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS101,215 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150nA @ 250V |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS101,215 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS101,215-FT |
NRVBS540T3G
ON Semiconductor
MBRS3100PT3G
ON Semiconductor
MBRS3100T3
ON Semiconductor
MBRS3201PT3G
ON Semiconductor
MBRS3201T3
ON Semiconductor
MBRS320PT3G
ON Semiconductor
MBRS330PT3G
ON Semiconductor
MBRS330T3
ON Semiconductor
MBRS340PT3G
ON Semiconductor
MBRS360PT3G
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel