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PHD9NQ20T,118 Image

Nexperia USA Inc. PHD9NQ20T,118

Número da peça MFG
PHD9NQ20T,118
Quantidade disponível
98060 Peças
Preço de referência
USD 0.304128
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Data de envio
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fabricante
Nexperia USA Inc.
Descrição breve
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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PHD9NQ20T,118 Especificações

Número da peça de fabricante PHD9NQ20T,118
Número da peça futura FT-PHD9NQ20T,118
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchMOS™
PHD9NQ20T,118 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 959pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 88W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor DPAK
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD9NQ20T,118 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição PHD9NQ20T,118-FT

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