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NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ

Name: PSMN8R5-108ESQ
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN8R5-108ESQ
Availability: InStock
Rating: 4.6 (714 reviews)

Número da peça MFG: PSMN8R5-108ESQ

Quantidade disponível: 25400 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PSMN8R5-108ESQ.pdf

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PSMN8R5-108ESQ Especificações

Número da peça de fabricante	PSMN8R5-108ESQ
Número da peça futura	FT-PSMN8R5-108ESQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
PSMN8R5-108ESQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	108V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	111nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5512pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	263W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I2PAK
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN8R5-108ESQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PSMN8R5-108ESQ-FT

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