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NXP USA Inc. PHD63NQ03LT,118

Name: PHD63NQ03LT,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHD63NQ03LT,118
Availability: InStock
Rating: 5.0 (247 reviews)

Número da peça MFG: PHD63NQ03LT,118

Quantidade disponível: 48030 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PHD63NQ03LT,118.pdf

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PHD63NQ03LT,118 Especificações

Número da peça de fabricante	PHD63NQ03LT,118
Número da peça futura	FT-PHD63NQ03LT,118
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchMOS™
PHD63NQ03LT,118 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	68.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	111W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD63NQ03LT,118 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PHD63NQ03LT,118-FT

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