casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN3R3-80ES,127
Número da peça de fabricante | PSMN3R3-80ES,127 |
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Número da peça futura | FT-PSMN3R3-80ES,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PSMN3R3-80ES,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9961pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 338W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R3-80ES,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PSMN3R3-80ES,127-FT |
2N7002BKM,315
Nexperia USA Inc.
PMZ200UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ130UNEYL
Nexperia USA Inc.
BSS84AKM,315
Nexperia USA Inc.
PMZ320UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ550UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ950UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ1200UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel