casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PHD20N06T,118
Número da peça de fabricante | PHD20N06T,118 |
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Número da peça futura | FT-PHD20N06T,118 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
PHD20N06T,118 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 51W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD20N06T,118 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PHD20N06T,118-FT |
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-40B,127
NXP USA Inc.
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel