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NXP USA Inc. BUK9E1R6-30E,127
- Número da peça MFG
- BUK9E1R6-30E,127
- Quantidade disponível
- 35310 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- NXP USA Inc.
- Descrição breve
- TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- BUK9E1R6-30E,127.pdf
BUK9E1R6-30E,127 Especificações
| Número da peça de fabricante | BUK9E1R6-30E,127 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BUK9E1R6-30E,127 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | TrenchMOS™ |
| BUK9E1R6-30E,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 5V |
| Vgs (máx.) | ±10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16150pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 349W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
| Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BUK9E1R6-30E,127 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BUK9E1R6-30E,127-FT |
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