casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PHD16N03LT,118
Número da peça de fabricante | PHD16N03LT,118 |
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Número da peça futura | FT-PHD16N03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
PHD16N03LT,118 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±15V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 32.6W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD16N03LT,118 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PHD16N03LT,118-FT |
BUK9E04-40A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E06-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E06-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40B,127
NXP USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel