casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PHD101NQ03LT,118
Número da peça de fabricante | PHD101NQ03LT,118 |
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Número da peça futura | FT-PHD101NQ03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
PHD101NQ03LT,118 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 166W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD101NQ03LT,118 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PHD101NQ03LT,118-FT |
BUK7E2R7-30B,127
NXP USA Inc.
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.
BUK7E4R3-75C,127
NXP USA Inc.
BUK9E04-30B,127
NXP USA Inc.
BUK9E04-40A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E06-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E06-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel