casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / NSB9435T1G
Número da peça de fabricante | NSB9435T1G |
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Número da peça futura | FT-NSB9435T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSB9435T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 800mA, 1V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 110MHz |
Potência - Max | 720mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB9435T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSB9435T1G-FT |
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Xilinx Inc.
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5SGSMD3H2F35I2LN
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