casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010-E
Número da peça de fabricante | PD20010-E |
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Número da peça futura | FT-PD20010-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PD20010-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 2GHz |
Ganho | 11dB |
Tensão - Teste | 13.6V |
Classificação atual | 5A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | 150mA |
Potência | 10W |
Voltagem - Rated | 40V |
Pacote / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PD20010-E-FT |
PTVA120251EA-V1
Cree/Wolfspeed
PTVA120251EA-V1-R250
Cree/Wolfspeed
CE3512K2-C1
CEL
CE3512K2
CEL
CE3520K3
CEL
CE3520K3-C1
CEL
CE3521M4
CEL
CE3514M4
CEL
CE3514M4-C2
CEL
CE3521M4-C2
CEL
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022C4U19I3LG
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC3090L-8PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel